Opsiwn arall sy'n werth ei drafod yw defnyddio dyfeisiau FGH30N60LSD. Mae'n IGBT 30A/600V gyda foltedd dirlawnder VCE(SAT) o ddim ond 1.1V. Mae ei golled troi i ffwrdd EOFF yn uchel iawn, gan gyrraedd 10mJ, felly dim ond ar gyfer trosi amledd isel y mae'n addas. RDS(ON) gwrth-wrthiant MOSFET 50 miliohm ar dymheredd gweithredu yw 100 miliohm. Felly, yn 11A, mae ganddo'r un VDS â VCE (SAT) yr IGBT. Gan fod yr IGBT hwn yn seiliedig ar dechnoleg chwalu hŷn, nid yw VCE(SAT) yn newid llawer gyda thymheredd. Felly, gall yr IGBT hwn leihau'r golled gyffredinol yn y bont allbwn, a thrwy hynny gynyddu effeithlonrwydd cyffredinol y gwrthdröydd. Mae FGH30N60LSD IGBT yn newid o un dechnoleg trosi pŵer i dopoleg bwrpasol arall bob hanner cylch hefyd yn ddefnyddiol iawn. Defnyddir IGBT fel switsh topolegol yma. Yn y trawsnewid cyflymach, defnyddir dyfeisiau cyffordd super adfer confensiynol a chyflym. Ar gyfer y topoleg bwrpasol 1200V a'r strwythur pontydd llawn, mae'r FGL40N120AND uchod yn addas iawn ar gyfer newid y gwrthdröydd solar amledd uchel newydd. Pan fo angen deuodau ar dechnoleg arbennig, mae deuodau Stealth II, Hyperfast™ II a deuodau carbon silicon yn atebion da.

Os gwelwch yn dda, cymerwch farn a gwell eich deall ni:

20000 watt pure sine wave ac inverter